| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件能够减小接合部隅角上的应力集中，从而抑制或防止焊料层在例如温度循环可靠性测试中产生裂纹。本发明所涉及的半导体器件具有如下连接结构：在两个表面接合有导体图案(2a、2b)的绝缘衬底(1)上安装半导体芯片(3)，并且将绝缘衬底(1)与散热基底构件(4)接合，使得由半导体芯片(3)产生的热量能释放到外部。导体图案(2a、2b)中与散热基底构件(4)接合的导体图案(2b)形成为使得与绝缘衬底(1)接合的接合部周缘的厚度小于该接合部的厚度。其结果是，由例如焊料形成的固定层在导体图案(2a、2b)的接合部周缘的厚度大于在接合部中心的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN103477429B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201280018753.4 | 申请日期 | 2012.05.11 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 长畦文男 |
| 分类号 | H01L23/12(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 俞丹 |
| 主权项 | 一种半导体器件，具有如下连接结构：在正面和背面接合有导体图案的绝缘衬底上安装功率半导体芯片，并且将所述绝缘衬底与散热基底构件接合，使得由所述功率半导体芯片产生的热量能释放到外部，其特征在于，所述导体图案中与所述散热基底构件接合的导体图案形成为隅角被倒圆，隅角的边缘为曲面，并且在与所述绝缘衬底的接合部周缘形成有倾斜面，且使得与所述绝缘衬底接合的导体图案的接合面周缘部的厚度小于接合部中央的厚度，包括内部连接端子，该内部连接端子将所述功率半导体芯片的正面电极与所述导体图案相连接，所述内部连接端子的各个接合部形成为外形呈圆形，且使得其厚度沿周缘方向连续地减小。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||