| 发明名称 | 形成FinFET栅介质层的方法和形成FinFET的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成FinFET栅介质层的方法及形成FinFET的方法，在半导体鳍状物表面外延单晶硅后，在氘与惰性气体的混合气体氛围下进行退火，以得到过渡层，解决了栅介质层材料与半导体鳍状物材料之间的晶格失配的问题，并且使得半导体鳍状物表面的粗糙度降低，避免了电荷捕获陷阱的产生，进而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103515213B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201210209736.0 | 申请日期 | 2012.06.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种形成FinFET栅介质层的方法，包括：提供形成有半导体鳍状物的半导体衬底；在所述半导体鳍状物表面外延生成单晶硅层，并在氘与惰性气体的混合气体氛围下，对半导体衬底进行退火，以在所述半导体鳍状物表面形成过渡层；在半导体衬底表面以及过渡层表面形成栅介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||