高速放大器

摘要

对于高速放大器，来自差分输入对的寄生电容引入了可影响性能的零点。此处，已提供中和网络，所述中和网络通过将此零点的位置进行移位而对此零点进行补偿。这一般是通过使用跨越所述放大器的所述差分输入对而交叉耦合的一对电容器来实现。

主权项

一种放大器设备，其包括：放大器，其接收输入信号且产生输出信号，其中所述放大器包含：第一晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中所述第一晶体管的所述控制电极接收所述输入信号的第一部分；以及第二晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中所述第二晶体管的所述控制电极接收所述输入信号的第二部分；以及中和网络，其具有：第一中和电容器，其耦合于所述第一晶体管的所述控制电极与所述第二晶体管的所述第二无源电极之间；以及第二中和电容器，其耦合于所述第二晶体管的所述控制电极与所述第一晶体管的所述第二无源电极之间，其中所述放大器还包括：第一输出端子，其适于提供所述输出信号的第一部分；第二输出端子，其适于提供所述输出信号的第二部分；第一偏置网络，其耦合到所述第一晶体管和第二晶体管中的每一者的所述第一无源电极；以及第二偏置网络，其耦合到所述第一晶体管和第二晶体管中的每一者的所述第二无源电极，其中所述第一晶体管和第二晶体管是MOS晶体管，且其中所述第一晶体管和第二晶体管中的每一者的所述第一无源电极、所述第二无源电极和所述控制电极分别是源极、漏极和栅极，其中所述第一晶体管和第二晶体管分别进一步包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，其中所述第一偏置网络进一步包括：第三PMOS晶体管，其在其漏极处耦合到所述第一PMOS晶体管的源极；以及第四PMOS晶体管，其在其漏极处耦合到所述第二PMOS晶体管的源极，且在其栅极处耦合到所述第三PMOS晶体管的栅极。