Al_xGa_1‑xN基紫外探测器及制备方法

摘要

一种AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法，该Al_xGa_1‑xN基紫外探测器，包括：一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上的一侧，该N型欧姆接触层上的另一侧形成一台面；一P型欧姆接触层，该p型欧姆接触层制作在有源层上；一重掺P型欧姆接触盖层，该重掺p型欧姆接触盖层制作在p型欧姆接触层上；一P型欧姆接触透明电极，该P型欧姆接触透明电极制作在重掺P型欧姆接触盖层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型欧姆接触层的台面上；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在P型欧姆接触透明电极上，其面积远小于P型欧姆接触透明电极的面积。

主权项

一种Al_xGa_1‑xN基紫外探测器，包括：一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上，该N型欧姆接触层的材料为N型Al_xGa_1‑xN，其中x≥0，其厚度为0.5‑5μm，电子浓度大于1×10¹⁸cm^‑3；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上的一侧，该N型欧姆接触层上的另一侧形成一台面，该有源层的材料为本征Al_xGa_1‑xN，其中x≥0，电子浓度小于1×10¹⁷cm^‑3，并且调节生长条件，控制残余碳杂质的浓度小于等于5×10¹⁶cm^‑3；一P型欧姆接触层，该p型欧姆接触层制作在有源层上；一重掺P型欧姆接触盖层，该重掺p型欧姆接触盖层制作在p型欧姆接触层上；一P型欧姆接触透明电极，该P型欧姆接触透明电极制作在重掺P型欧姆接触盖层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型欧姆接触层的台面上；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在P型欧姆接触透明电极上，其面积远小于P型欧姆接触透明电极的面积。