半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括一衬底以及一叠层结构。叠层结构垂直形成于衬底上。叠层结构包括多个导电层及多个绝缘层，导电层与绝缘层系交错设置(interlaced)。其中导电层的至少其中之一具有一第一掺杂段及一第二掺杂段，第一掺杂段具有一第一掺杂特性(doping property)，第二掺杂段具有一第二掺杂特性，第一掺杂特性和第二掺杂特性是不同的，第一掺杂段和第二掺杂段的邻接面具有一晶面(grain boundary)。

主权项

一种半导体装置，包括：一衬底；以及一叠层结构，垂直形成于该衬底上，包括：多个导电层，该些导电层的材质包括多晶硅、三五族化合物或二六族化合物；及多个绝缘层，这些导电层与这些绝缘层系交错设置(interlaced)；其中这些导电层的至少其中之一具有一第一掺杂段及一第二掺杂段，该第一掺杂段具有一第一掺杂特性(doping property)，该第二掺杂段具有一第二掺杂特性，该第一掺杂特性和该第二掺杂特性是不同的，该第一掺杂段和该第二掺杂段的邻接面具有一晶面(grain boundary)。