超浅结的制造

摘要

本发明涉及一种在半导体衬底中形成超浅结的方法。该方法包括通过执行预非晶化注入步骤在半导体衬底中形成非晶化区域以及通过执行单层掺杂步骤在非晶化区域中注入一种或更多种掺杂物。然后热处理该半导体衬底以激活非晶化区域中的注入的掺杂物从而由此在半导体衬底中形成超浅结。可以在注入的非晶化区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行热处理。本发明还提供了一种超浅结的制造。

主权项

一种在半导体衬底中形成超浅结的方法，所述方法包括以下步骤：通过执行预非晶化注入步骤在所述半导体衬底之上的外延锗层中形成非晶化区域；通过执行第一单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入氮；在所述第一单层掺杂步骤之后，通过执行第二单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入磷；以及热处理所述半导体衬底，以激活在所述非晶化区域中注入的所述氮和所述磷，从而在所述半导体衬底中形成超浅结。