通过电子束光刻利用单次曝光限定多层图案的方法

摘要

本发明提供了一种方法，该方法包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层执行电子束（e‑beam）光刻曝光工艺，从而在第一光刻胶层中形成第一潜在部件和在第二光刻胶层中形成第二潜在部件。

主权项

一种利用单次曝光限定多层图案的方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层执行电子束光刻曝光工艺，从而在所述第一光刻胶层中形成第一潜在部件并且在所述第二光刻胶层中形成第二潜在部件；所述方法还包括：在所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层之间形成材料层，所述材料层对在所述电子束光刻曝光工艺中使用的电子束辐射不敏感，并且使所述电子束辐射衰减。