| 发明名称 | 改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法，包括：第一步骤，进行第一次低介电常数材料沉积以形成第一低介电常数材料层；第二步骤，对第一低介电常数材料层执行等离子体固化以对第一低介电常数材料层的致孔剂进行驱除，由此形成等离子体固化后的低介电常数材料层；第三步骤，在等离子体固化后的低介电常数材料层上进行第二次低介电常数材料沉积以形成第二低介电常数材料层；第四步骤，对第二低介电常数材料层进行紫外光固化处理以形成多孔低介电常数材料。 | ||
| 申请公布号 | CN104157552B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201410403327.3 | 申请日期 | 2014.08.15 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 雷通 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法，包括：第一步骤，进行第一次低介电常数材料沉积以形成第一低介电常数材料层；第二步骤，对第一低介电常数材料层执行等离子体固化以对第一低介电常数材料层的致孔剂进行驱除，由此形成等离子体固化后的低介电常数材料层；其特征在于还包括：第三步骤，在等离子体固化后的低介电常数材料层上进行第二次低介电常数材料沉积以形成第二低介电常数材料层；第四步骤，对第二低介电常数材料层进行紫外光固化处理以形成多孔低介电常数材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||