| 发明名称 | 制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造半导体装置的方法，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN104064473B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201410329040.0 | 申请日期 | 2009.12.23 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 小山润;坂田淳一郎;丸山哲纪;井本裕己;浅野裕治;肥塚纯一 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：通过使用包括铟、镓、锌和氧的靶材的溅射方法来形成氧化物半导体膜；蚀刻所述氧化物半导体膜以形成第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜；在所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜之上形成包括氧化硅的第一绝缘膜；蚀刻所述第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成包括氮化硅的第二绝缘膜；在形成所述第二绝缘膜的步骤之后执行热处理，其中，所述第一绝缘膜包括重叠于所述第二氧化物半导体膜的区域，其中，所述第一氧化物半导体膜包括不重叠于所述第一绝缘膜的区域，且其中，所述第二绝缘膜与所述第一氧化物半导体膜相接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||