形成用于导电互连结构的保护和支撑结构的器件和方法

摘要

本发明涉及形成用于导电互连结构的保护和支撑结构的器件和方法。半导体器件具有含有多个接触焊盘的半导体晶片。第一绝缘层在半导体晶片和接触焊盘上形成。第一绝缘层的一部分被移除，从而露出接触焊盘的第一部分，同时留下接触焊盘的第二部分被覆盖。凸块下金属化层和多个凸块在接触焊盘和第一绝缘层上形成。第二绝缘层在第一绝缘层、凸块下金属化层的侧壁、凸块的侧壁以及凸块的上表面上形成。覆盖凸块的上表面的第二绝缘层的一部分被移除，但是第二绝缘层维持在凸块的侧壁和凸块下金属化层的侧壁上。

主权项

一种制作半导体器件的方法，该方法包括：提供具有多个接触焊盘的半导体晶片；在半导体晶片和接触焊盘上形成第一绝缘层；在接触焊盘和第一绝缘层上形成凸块下金属化层；在凸块下金属化层上形成多个凸块；在半导体晶片上形成第二绝缘层以完全覆盖第一绝缘层、凸块下金属化层的侧壁、凸块的侧壁以及凸块的上表面；以及移除覆盖凸块的上表面的第二绝缘层的一部分，同时维持第二绝缘层覆盖在凸块的侧壁和凸块下金属化层的侧壁上，从而为凸块提供结构支撑并且防止金属间化合物的生长。