二极管及其制作方法

摘要

本发明实施例公开了一种二极管及其制作方法，该方法包括：基底，所述基底包括阱区，阱区为所述二极管的第一电极区；位于阱区表面内的第二电极区和体引出区，体引出区为第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于阱区表面上的栅介质层以及位于栅介质层表面上的栅区，栅介质层位于第二电极区和体引出区之间，以隔离第二电极区和体引出区。本发明采用栅介质层代替现有技术中的场氧隔离区，同样起到了隔离多个器件的作用，由于栅介质层的厚度远远小于传统CMOS工艺中的二极管周边的场氧隔离区的厚度，使该二极管抗总剂量辐照效应的能力远远高于传统CMOS工艺中的二极管抗总剂量辐照效应的能力。

主权项

一种二极管，其特征在于，包括：基底，所述基底包括阱区，所述阱区为所述二极管的第一电极区；位于所述阱区表面内的第二电极区和体引出区，所述体引出区为所述第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于所述阱区表面上的栅介质层以及位于所述栅介质层表面上的栅区，所述栅介质层位于所述第二电极区和体引出区之间，以隔离所述第二电极区和体引出区，所述栅介质层材料为SrTiO₃、HfO₂、ZrO₂、氧化硅中的一种或任意组合，所述栅区为环形栅区；其中，所述二极管还包括：位于所述栅介质层和体引出区之间的浅槽隔离区。