| 发明名称 | 沉积薄膜晶体管的方法与系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于在基板(102)上方形成薄膜晶体管栅极绝缘层(100、302)的方法，该基板(102)设置在处理腔室(104)中。该方法包含：将处理气体(116)引进，以在该处理腔室(104)中产生等离子体；将该基板(102)加热到介于50℃与350℃之间的基板处理温度；以及通过在中等频率下溅射靶组件(108)来在经加热的该基板(102)上方沉积氧化硅、氧氮化硅或氮化硅。 | ||
| 申请公布号 | CN103098218B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201180043434.4 | 申请日期 | 2011.08.31 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | E·谢尔;O·格劳;R·韦伯;U·施赖伯 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 胡林岭;刘佳 |
| 主权项 | 一种用于在基板(102，202，730)上方形成薄膜晶体管栅极绝缘层(100，200，734)的方法，所述基板设置在处理腔室(104，204)中，所述方法包含：将处理气体(116，216)引进，以在所述处理腔室(104，204)中产生等离子体；将所述基板(102，202，730)加热到介于50℃与350℃之间的基板处理温度；及通过在介于1kHz与100kHz之间的频率下溅射靶组件(108，206)来在经加热的所述基板(102，202，730)上方沉积氧化硅、氧氮化硅或氮化硅。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||