发明名称 基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元
摘要 本发明涉及集成电路技术领域,特别是一种由纳米器件组成的基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元。其由一个四输入的SET/MOS混合电路和第一、二反相器构成,所述的第一、二反相器的输出端各自与所述SET/MOS混合电路的一输入端连接;其通过对输入端的偏置,该逻辑单元就能够实现或、或非、与、与非逻辑功能,而不需要改变电路的器件参数。该可重构阈值逻辑单元结构简单、功耗低、集成度高,同时具有较高的可重构特性,能够有效地实现同一单元的不同逻辑功能。这些特点使得该可重构阈值逻辑单元能够应用于FPGA、人工神经网络等低功耗、高集成度超大规模集成电路中。
申请公布号 CN102545882B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201210001142.0 申请日期 2012.01.05
申请人 福州大学 发明人 魏榕山;陈锦锋;陈寿昌;何明华
分类号 H03K19/094(2006.01)I 主分类号 H03K19/094(2006.01)I
代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人 蔡学俊
主权项 一种基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元,其特征在于:由一个四输入的SET/MOS混合电路和第一、二反相器构成,所述的第一、二反相器的输出端各自与所述SET/MOS混合电路的一输入端连接;所述的SET/MOS混合电路的逻辑满足逻辑方程:<maths num="0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>F</mi><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><mi>s</mi><mi>i</mi><mi>g</mi><mi>n</mi><mrow><mo>(</mo><munderover><mo>&Sigma;</mo><mrow><mi>i</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mi>n</mi></munderover><msub><mi>W</mi><mi>i</mi></msub><msub><mi>X</mi><mi>i</mi></msub><mo>-</mo><mi>&theta;</mi><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><mfenced open = "{" close = ""><mtable><mtr><mtd><mrow><mn>1</mn><mo>,</mo></mrow></mtd><mtd><mtable><mtr><mtd><mrow><mi>i</mi><mi>f</mi></mrow></mtd><mtd><mrow><munderover><mo>&Sigma;</mo><mrow><mi>i</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mi>n</mi></munderover><mrow><msub><mi>W</mi><mi>i</mi></msub><msub><mi>X</mi><mi>i</mi></msub><mo>&GreaterEqual;</mo><mi>&theta;</mi></mrow></mrow></mtd></mtr></mtable></mtd></mtr><mtr><mtd><mrow><mn>0</mn><mo>,</mo></mrow></mtd><mtd><mrow><mi>o</mi><mi>t</mi><mi>h</mi><mi>e</mi><mi>r</mi><mi>w</mi><mi>i</mi><mi>s</mi><mi>e</mi></mrow></mtd></mtr></mtable></mfenced></mrow>]]></math><img file="FDA0001180372690000011.GIF" wi="949" he="222" /></maths>其中W<sub>i</sub>为输入X<sub>i</sub>对应的权重,n为输入的个数,θ为阈值;所述可重构阈值逻辑单元的阈值逻辑功能表达式为:F(x)=sgn(x<sub>1</sub>+x<sub>2</sub>+x<sub>3</sub>'+x<sub>4</sub>'‑2.5);其通过4个输入x<sub>1</sub>,x<sub>2</sub>,x<sub>3</sub>,x<sub>4</sub>的不同组合,能实现或、或非、与、与非的逻辑功能,该或、或非、与、与非为线性函数,能够直接用以下阈值逻辑门表示:OR(a,b)=sgn(a+b‑0.5);NOR(a,b)=sgn(‑a‑b+0.5);AND(a,b)=sgn(a+b‑1.5);NAND(a,b)=sgn(‑a‑b+1.5);其中,x<sub>3</sub>′,x<sub>4</sub>′为输入x<sub>3</sub>,x<sub>4</sub>经过反相器后得到的信号,a为一输入信号,b为另一输入信号;所述的SET/MOS混合电路包括:一PMOS管,其源极接电源端V<sub>dd</sub>;一NMOS管,其漏极与所述PMOS管的漏极连接;以及一SET管,与所述NMOS管的源极连接;所述的PMOS管的参数满足:沟道宽度W<sub>p</sub>为22nm,沟道长度L<sub>p</sub>为66nm,栅极电压V<sub>pg</sub>为0.4V;所述NMOS管的参数满足:沟道宽度W<sub>n</sub>为22nm,沟道长度L<sub>n</sub>为66nm,栅极电压V<sub>ng</sub>为0.4V;所述SET管的参数满足:隧穿结电C<sub>s</sub>,C<sub>d</sub>为0.1aF,隧穿结电阻R<sub>s</sub>,R<sub>d</sub>为150KΩ,背栅电压V<sub>ctrl</sub>为0.8V,背栅电容C<sub>ctrl</sub>为0.1050aF,耦合电容C<sub>0</sub>为0.052aF,耦合电容C<sub>1</sub>为0.026aF。
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