半导体器件、集成电路以及制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件、集成电路以及制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括晶体管。该晶体管包括源极区、漏极区、本体区、漂移区域和邻近本体区的栅极电极。该本体区、漂移区域、源极区和漏极区被设置在具有第一主表面的第一半导体层中。该本体区和漂移区域沿着第一方向被设置在源极区和漏极区之间，该第一方向平行于第一主表面。沟槽被设置在第一半导体层中，该沟槽在第一方向上延伸。该晶体管还包括邻近漂移区域布置的漂移控制区。该漂移控制区和栅极电极被设置在沟槽中。

主权项

一种半导体器件，包括：晶体管，该晶体管包括在具有第一主表面的第一半导体层中的本体区、漂移区域、源极区和漏极区，所述本体区和漂移区域被设置在所述源极区和漏极区之间，所述源极区、所述本体区、所述漂移区域和所述漏极区被沿着第一方向设置，所述第一方向平行于第一主表面；在所述第一半导体层中并且在所述第一方向上延伸的沟槽，该晶体管还包括介电层、邻近所述本体区的栅极电极和邻近所述漂移区域的漂移控制区，所述漂移控制区和栅极电极被设置在所述沟槽中，所述介电层被设置在漂移区和漂移控制区之间，其中所述漂移控制区包括单晶半导体材料。