发明名称 一种N型背结太阳能电池的制备方法
摘要 本发明公开了一种N型背结太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:(1)清洗;抛光;(2)硼扩散;在硅片的前表面和背表面生长氧化层;(3)刻蚀硅片边缘和前表面;得到前表面去除氧化层的硅片;(4)采用四甲基氢氧化铵溶液对硅片的前表面进行制绒;(5)离子注入;(6)高温激活;(7)双面沉积氮化硅;(8)在硅片背表面形成点接触开口;(9)印刷铝电极、银电极;共烧结,以形成金属化接触。本发明利用背表面保留的氧化层作为阻挡层对前表面进行制绒,实现了前表面制绒的同时不影响背面氧化层的钝化效果;此外,将该背表面保留的氧化层作为钝化层,不需要再次高温形成氧化层或沉积氧化铝,从而大大简化了工艺步骤。
申请公布号 CN103904164B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201410150951.7 申请日期 2014.04.15
申请人 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 发明人 刘运宇;王栩生;章灵军
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人 陆金星
主权项 一种N型背结太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1) 清洗;对N型硅片的背表面或前后表面进行抛光;(2) 将上述N型硅片进行硼扩散;所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法,先在920~980℃下通氧沉积三溴化硼20~50分钟,之后不通源在氧气氛下推进10~60分钟,然后降温到800~900℃氧化至少30分钟,在硅片的前表面和背表面生长氧化层;所述氧化层的厚度至少为20纳米;(3) 在上述硅片的背表面喷涂一层水层,然后将硅片在含有硝酸和氢氟酸的腐蚀液中漂浮刻蚀硅片边缘和前表面;刻蚀完成后先在盐酸中清洗,再在清水中清洗,即可得到前表面去除氧化层且边缘刻蚀的硅片;(4) 采用四甲基氢氧化铵溶液对上述硅片的前表面进行制绒;(5) 对制绒后的硅片的绒面进行磷元素的离子注入;(6) 对离子注入后的硅片进行高温激活;处理温度为650~900℃,激活气氛为氮气和氧气的组合气氛或纯氮气气氛;(7) 在硅片双面沉积氮化硅;(8) 在硅片的背表面形成点接触开口;(9) 在硅片的背表面印刷铝电极,在前表面印刷银电极;将所述铝电极和银电极进行共烧结,以形成金属化接触。
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