硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件

摘要

本发明公开了一种硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件。该硬掩模组合物，其包含：（A）由以下化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体，（B）含芳环的聚合物，以及（C）溶剂。在以下化学式1中，A、A′、A″、L、L′、x、y、和z均与说明书中限定的相同。[化学式1]

主权项

一种硬掩模组合物，包含：(A)由以下化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体，(B)含芳环的聚合物，以及(C)溶剂；[化学式1]其中，在以上化学式1中，A、A′和A″各自独立地为取代或未取代的芳环基团，或脂环基团，L和L′各自独立地是单键，或取代或未取代的C1‑C6亚烷基，x＝y＝0或x＝y＝1，以及z是1至5的整数，条件是A和A′中的至少一个是取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苯并苝基、取代或未取代的晕苯基，或它们的组合；其中，所述含芳环的聚合物由以下化学式2表示：[化学式2]其中，在以上化学式2中，R1至R4各自独立地是氢、羟基、取代或未取代的C1‑C20烷基、取代或未取代的C3‑C20环烷基、取代或未取代的C6‑C20芳基、取代或未取代的C7‑C20芳烷基、取代或未取代的C1‑C20杂烷基、取代或未取代的C2‑C20杂环烷基、取代或未取代的C2‑C20烯基、取代或未取代的C2‑C20炔基、取代或未取代的C1‑C20烷氧基、卤素、含卤素基团，或它们的组合，R5和R6各自独立地是单键、取代或未取代的C1‑C20亚烷基、取代或未取代的C3‑C20亚环烷基、取代或未取代的C6‑C20亚芳基、取代或未取代C7‑C20芳基亚烷基、取代或未取代的C1‑C20杂亚烷基、取代或未取代C2‑C20杂环亚烷基，或它们的组合，以及n是3至200。