发明名称 堆栈式功率元件模块
摘要 一种堆栈式功率元件模块,包括:基底,具有第一表面与第二表面;至少一第一元件位于基底的第一表面上并与基底电性连结;至少一第二元件位于至少一第一元件上并与基底电性连结;至少一填充层,覆盖于基底的第一表面上且包覆至少一第一元件与至少一第二元件,至少一填充层包括多个第一插塞与至少一第二插塞;以及一线路图案位于至少一第二元件上且位于至少一填充层上,该线路图案通过第一插塞连接至少一第二元件并通过至少一第二插塞连接至少一第一元件,该至少一第二插塞的高度大于每一该至少一第一插塞的高度。本发明利用垂直导通层完成元件之间的连结,大幅缩短电流传输路径,可避免因利用导通孔或打线方式连结而造成的电流集中或接点被破坏。
申请公布号 CN103872027B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201310033645.0 申请日期 2013.01.29
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 洪英博;张道智
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;鲍俊萍
主权项 一种堆栈式功率元件模块,其特征在于,至少包括:一基底,具有一第一表面与一第二表面;至少一第一元件,位于该基底的该第一表面上并与该基底电性连结;至少一第二元件,位于该至少一第一元件上并与该基底电性连结;至少一填充层,覆盖于该基底的该第一表面上且包覆该至少一第一元件与该至少一第二元件,该至少一填充层包括多个第一插塞与至少一第二插塞;至少一电极,位于该至少一第二元件上,且该至少一电极表面露出于该至少一填充层;以及一线路图案,位于该至少一第二元件之上且位于该至少一填充层上,该线路图案通过该些第一插塞连接该至少一第二元件,该线路图案通过该至少一第二插塞连接该至少一第一元件,其中该至少一第二插塞的高度大于每一该至少一第一插塞的高度。
地址 中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号