Halbleiterlaser und Halbleiterlaseranordnung

摘要

In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p-leitenden Bereich (21) und eine dazwischenliegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je an dem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23) eingerichtet sind. Eine p-Kontaktfläche (61) ist mit dem p-Kontakt (41) elektrisch verbunden und eine n-Kontaktfläche (63) ist mit dem n-Kontakt (43) elektrisch verbunden, sodass die p-Kontaktfläche (61) und die n-Kontaktfläche (63) zu einem externen elektrischen und mechanischen Anschließen des Halbleiterlasers (1) eingerichtet sind. Es sind die Kontaktflächen (61, 63) parallel zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) orientiert. Dabei ist der Halbleiterlaser (1) drahtfrei oberflächenmontierbar.