Halbleiterlichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtquelle

摘要

Es ist ein Verfahrens 100 zur Herstellung einer Halbleiterlichtquelle gezeigt. Die Halbleiterlichtquelle weist ein Substrat sowie eine oberhalb des Substrats angeordnete Schichtfolge auf, wobei dieselbe eine lichtemittierende Schicht und eine oberhalb der lichtemittierenden Schicht angeordnete obere Begrenzungsschicht aufweist. In einem Schritt S102 wird die Schichtfolge strukturiert, um gleichzeitig einen lichtemittierenden Streifen zur Definition der Halbleiterlichtquelle und einem sich dazu parallel erstreckenden Justierungsstreifen als horizontale Justierungsmarke zu formen. In einem weiteren Schritt S104 wird eine Abdeckungsschicht auf die strukturierte Schichtfolge aufgebracht und in Schritt S106 wird ein Teil der Abdeckungsschicht entfernt, um den Justierungsstreifen freizulegen und um einen Bereich der Schichtfolge außerhalb des lichtemittierenden Streifen und beabstandet von einer Lichteintrittskante oder einer Lichtaustrittskante des lichtemittierenden Streifen als vertikale Justierungsmarke freizulegen.