摘要 |
Verfahren zum Trennen von einzelnen Dies eines Halbleiter-Wafers, wobei das Verfahren umfasst: Ausbilden einer Metallschicht auf einer ersten Oberfläche des Halbleiter-Wafers, wobei der Halbleiter-Wafer eine Mehrzahl von Dies umfasst; Trennen der Mehrzahl von Dies voneinander; und elektroerosives Bearbeiten der Metallschicht in einzelne Segmente, von denen jedes auf einem der Dies befestigt bleibt, wobei das elektroerosive Bearbeiten der Metallschicht in einzelne Segmente umfasst: Anordnen wenigstens einer Elektrode über einem Bereich der Metallschicht zwischen benachbarten Dies; und Anlegen von Hochspannungs-Hochfrequenzimpulsen an die wenigstens eine Elektrode und die Metallschicht, welche ausreichen, um Metallionen von jedem Bereich der Metallschicht freizusetzen, welcher von der wenigstens einen Elektrode bedeckt ist. |