| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung (1) weist einen Transistor (10) in einem Halbleiterkörper (100) mit einer Hauptoberfläche (110) auf. Der Transistor (10) weist einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210) beim Bodybereich (220) auf. Der Bodybereich (220) und die Driftzone (260) sind entlang einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet. Die erste Richtung ist parallel zu der Hauptoberfläche (110). Die Halbleitervorrichtung weist ferner eine Feldplatte, die in sich entlang der ersten Richtung in der Driftzone erstreckenden Feldplattengräben angeordnet ist, und eine Felddielektrikumsschicht zwischen der Feldplatte und der Driftzone auf. Eine Dicke der Felddielektrikumsschicht nimmt entlang der ersten Richtung von einem dem Sourcebereich (201) benachbarten Teil zu einem dem Drainbereich (205) benachbarten Teil allmählich zu. |
