| 摘要 |
Ein Herstellungsverfahren dieser Erfindung enthält: einen Schritt zum Schneiden eines Silicium-Einkristalls, der Bor als Akzeptor enthält, unter Erhalt eines nicht-wärmebehandelten Silicium-Wafers, einen Schritt zur Bestimmung einer Borkonzentration in Bezug auf den nicht-wärmebehandelten Silicium-Wafer und einen Schritt zur Bestimmen einer Sauerstoff-Donorkonzentration in Bezug auf den nicht-wärmebehandelten Silicium-Wafer, worin eine Bestimmung, ob eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 300°C oder mehr mit dem nicht-wärmebehandelten Silicium-Wafer durchgeführt werden soll oder nicht, auf der Basis einer Borkonzentration, bestimmt im Schritt zur Bestimmung einer Borkonzentration, und einer Sauerstoff-Donorkonzentration, bestimmt im Schritt zur Bestimmung einer Sauerstoff-Donorkonzentration, erfolgt. Hierdurch wird ein Wafer erhalten, bei dem ungleichmäßig verteilte LPDs, die bei dem Wafer vorhanden sind, reduziert werden. |
