| 摘要 |
Doppel-Gate-Speicherzelle, welche umfasst: – ein Siliziumsubstrat (1) mit einem aktiven Bereich, der einen Kanalbereich (11) und Source-/Drain-Bereiche (3; 4) aufweist, wobei der aktive Bereich eine stegartige Flosse (2) formt, die wenigstens den Kanalbereich (11) umfasst; – eine Tunneloxidschicht (7), die wenigstens teilweise auf der Oberfläche der stegartigen Flosse (2) des aktiven Bereichs geformt ist und aus einem amorphen Siliziumdioxid/Titandioxid-Mischoxid besteht; – ein Floating-Gate (5) zum Speichern von elektrischen Ladungen, das wenigstens teilweise auf der Oberfläche der Tunneloxidschicht (7) geformt ist; – eine Intergate-Isolatorschicht (10) aus einem dielektrischen Material, die wenigstens teilweise auf der Oberfläche des Floating-Gates (5) geformt ist; und – ein Kontroll-Gate (8), das wenigstens teilweise auf der Oberfläche der Intergate-Isolatorschicht (10) geformt ist. |
