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Verfahren (100) zum Anlegen einer Hochspannung an ein Halbleiterbauelement (205), aufweisend: • Erzeugen einer Niederspannung an einer von einem Halbleiterbauelement (205), an das eine Hochspannung anzulegen ist, räumlich entfernten Position (101), wobei die Niederspannung so gewählt ist, dass in einem mit ihr beaufschlagten Vorrichtungsteil unter Normalbedingungen keine Spannungsüberschläge zu erwarten sind; • Zuleiten der Niederspannung zu einer dem Halbleiterbauelement räumlich benachbarten Position (102); • Erzeugen einer Hochspannung aus der zugeleiteten Niederspannung an der dem Halbleiterbauelement räumlich benachbarten Position (103), wobei die Hochspannung größer als die Niederspannung ist, und wobei die Hochspannung größer als 300 Volt ist; und • Anlegen der Hochspannung an das Halbleiterbauelement (104). |
