发明名称 Halbleitervorrichtung
摘要 Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Substrat (24); eine Oberflächenelektrode (26) aus einem Aluminium enthaltenden Material, die auf dem Substrat (24) ausgebildet ist; einen Metallfilm (28) aus lötfähigem Material, der aus mehreren anderen Metallen als Aluminium auf der Oberflächenelektrode (26) ausgebildet ist; und einen Endbefestigungsfilm (30), der ein Ende des Metallfilms (28) befestigt und einen Abschnitt unmittelbar auf der Oberflächenelektrode (26) aufweist und auch einen überlappenden Abschnitt (30a) aufweist, der einteilig mit dem Abschnitt auf der Oberflächenelektrode (26) ausgebildet ist und der das Ende des Metallfilms (28) bedeckt, wobei der Metallfilm über dem Substrat (24) ausgebildet ist und eine Konfiguration mit Ecken in der Draufsicht aufweist; und der überlappende Abschnitt nur auf den Ecken des Metallfilms ausgebildet ist.
申请公布号 DE102012208246(B4) 申请公布日期 2017.04.06
申请号 DE201210208246 申请日期 2012.05.16
申请人 Mitsubishi Electric Corp. 发明人 Nakano, Seiya;Tomomatsu, Yoshifumi
分类号 H01L23/488;H01L21/60 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人
主权项
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