一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底，第一晶体管区和第二晶体管区内分别形成有第一伪栅极和第二伪栅极，在第一伪栅极和第二伪栅极之间填充有层间介电层；回蚀刻部分第一伪栅极和第二伪栅极；在剩余的第一伪栅极和第二伪栅极的表面上分别沉积形成第一保护层和第二保护层；去除第一保护层和第一伪栅极，以形成第一栅极沟槽；形成第一金属栅极；去除第二保护层和第二伪栅极，以形成第二栅极沟槽；形成第二金属层，并对第二金属层执行第二化学机械研磨工艺，停止于层间介电层的表面上，以形成第二金属栅极。采用本发明的制造方法，可以降低CMP过程引起的多晶硅碟形凹陷的产生。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一晶体管区和第二晶体管区，所述第一晶体管区和所述第二晶体管区内分别形成有第一伪栅极和第二伪栅极，在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极之间填充有层间介电层；步骤S2：回蚀刻部分所述第一伪栅极和所述第二伪栅极；步骤S3：在剩余的所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的表面上分别沉积形成第一保护层和第二保护层；步骤S4：去除所述第一保护层和第一伪栅极，以形成第一栅极沟槽；步骤S5：在所述层间介电层上以及所述第一栅极沟槽内沉积形成第一金属层，并对所述第一金属层执行第一化学机械研磨工艺，停止于所述层间介电层的表面上，以形成第一金属栅极；步骤S6：去除所述第二保护层和所述第二伪栅极，以形成第二栅极沟槽；步骤S7：在所述层间介电层上和所述第二栅极沟槽内沉积形成第二金属层，并对所述第二金属层执行第二化学机械研磨工艺，停止于所述层间介电层的表面上，以形成第二金属栅极。