| 发明名称 |
掺杂改性的SiGe基合金热电材料及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明提供Ga和Sb分别掺杂改性的SiGe基合金热电材料及其制备方法，所述热电材料分别为Si<sub>4</sub>Ge<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>和Si<sub>4</sub>Ge<sub>1-x</sub>Sb<sub>x</sub>，x＝0.01～0.05；所述制备方法为高能球磨结合热压烧结法，所用设备简单，高效低成本、短周期地制备出Ga和Sb掺杂改性的SiGe基热电材料，所述热电材料的热电优值得到有效提高，可达到0.8以上。 |
| 申请公布号 |
CN106555070A |
申请公布日期 |
2017.04.05 |
| 申请号 |
CN201510632578.3 |
申请日期 |
2015.09.29 |
| 申请人 |
李博琪 |
发明人 |
不公告发明人 |
| 分类号 |
C22C1/05(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/05(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
本发明提供Ga和Sb分别掺杂改性的SiGe基合金热电材料，热电材料分别为Si<sub>4</sub>Ge<sub>1‑x</sub>Ga<sub>x</sub>和Si<sub>4</sub>Ge<sub>1‑x</sub>Sb<sub>x</sub>，所述x＝0.01～0.05。 |
| 地址 |
211303 江苏省南京市高淳区桠溪镇东风路2号 |
