| 发明名称 | 稀土氧化物隔离的半导体鳍 | ||
| 摘要 | 本发明公开了在基板上沉积介电模板层。通过采用图案化的屏蔽层的各向异性蚀刻在所述介电模板层的内部形成线沟槽。该图案化的屏蔽层可为图案化的光阻层，或通过其他影像转移法所形成的图案化的硬屏蔽层。通过选择性稀土氧化物外延工艺在各个线沟槽的较低部分填充外延稀土氧化物材料。通过选择性半导体外延工艺在各个线沟槽的较高部分填充外延半导体材料。使介电模板层凹陷以形成介电材料层，其提供在各鳍结构之间的侧向电性绝缘，每个鳍结构包括由稀土氧化物鳍部分和半导体鳍部分构成的堆栈。 | ||
| 申请公布号 | CN103999202B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201280062010.7 | 申请日期 | 2012.11.12 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 程慷果;J·欧文;裴成文;R·M·托蒂;王耕 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 冯玉清 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：位于基板(10)的平面顶表面上的鳍结构{(22，30)或(22，34，35，36)}，其中所述鳍结构{(22，30)或(22，34，35，36)}包括稀土氧化物鳍部分(22)及与所述稀土氧化物鳍部分(22)的顶表面接触的半导体鳍部分{(30)或(34，35，36)}；以及包括栅介电层的栅结构，所述栅介电层铺在并且跨接在所述鳍结构上。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||