| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底中形成具有第一栅长的第一MOSFET；以及在半导体衬底中形成具有第二栅长的第二MOSFET，其中第二栅长小于第一栅长，其中，第二MOSFET具有侧墙形式的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质将栅极导体与半导体衬底隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN103811321B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201210451050.2 | 申请日期 | 2012.11.12 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蔡纯 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成具有第一栅长的第一MOSFET；以及在半导体衬底中形成具有第二栅长的第二MOSFET，其中第二栅长小于第一栅长，其中，第二MOSFET具有侧墙形式的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质将栅极导体与半导体衬底隔开，其中形成第二MOSFET包括：以掩蔽层作为掩模形成第二MOSFET的源区和漏区之一；以牺牲侧墙作为掩模形成第二MOSFET的源区和漏区中另一个；以及采用栅堆叠替代牺牲侧墙。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||