阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法

摘要

本发明提供一种阵列基板，其包括基板、设置于基板上的多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管以及多个第三薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第一介电层以及第二介电层；第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管；第二薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第三介电层；第三薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第四介电层，该第一介电层的材质为氮化硅，该第二、第三和第四介电层的材质均为氧化硅。本发明还提供应用该阵列基板的显示装置及该阵列基板的制备方法。第二、第三薄膜晶体管上仅覆盖氧化硅材质的第三介电层和第四介电层，避免氮元素薄膜晶体管的影响。

主权项

一种阵列基板，其包括基板、设置于基板上的多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管以及多个第三薄膜晶体管，其特征在于：第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第一半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第一介电层、以及第二介电层；第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管；第二薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第二半导体层、第二栅极绝缘层、第二栅极、第三介电层、以及第三半导体层；第三薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第三栅极绝缘层、第三栅极、第四介电层以及第四半导体层，该第一介电层的材质为氮化硅，该第二介电层、第三介电层和第四介电层的材质均为氧化硅。