| 发明名称 | 一种具有多重栅极结构的晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有多重栅极结构的晶体管，包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、GaN形成的沟道层及AlGaN或InAlGaN形成的势垒层，势垒层上设置有源极、漏极及位于两者之间的若干子栅极，该些子栅极由源极向漏极方向分立间隔排布以形成多重栅极结构，各子栅极包括由p型Al<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>N或p型In<sub>1-y-z</sub>Ga<sub>y</sub>Al<sub>z</sub>N形成的栅极接触层，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且栅极接触层与势垒层间形成接触面。相较于传统单一栅极的结构，上述多重栅极可以有效的分散电场，从而抑制栅极旁产生的强电场导致的崩压现象。本发明还提供了上述晶体管的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106558606A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510622398.7 | 申请日期 | 2015.09.25 |
| 申请人 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 发明人 | 叶念慈 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人 | 连耀忠 |
| 主权项 | 一种具有多重栅极结构的晶体管，包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、GaN形成的沟道层及AlGaN或InAlGaN形成的势垒层，势垒层上设置有源极及漏极，其特征在于：于势垒层上所述源极和漏极之间设置有若干子栅极，该些子栅极由所述源极向漏极方向分立间隔排布以形成多重栅极结构；各子栅极包括由p型Al<sub>1‑x</sub>Ga<sub>x</sub>N或p型In<sub>1‑y‑z</sub>Ga<sub>y</sub>Al<sub>z</sub>N形成的栅极接触层，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且栅极接触层与势垒层间形成接触面。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号 | ||