发明名称 THYRISTOR VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHODS OF MANUFACTURE
摘要 A volatile memory array using vertical thyristors is disclosed together with methods of reducing power consumption in such arrays.
申请公布号 EP3149740(A1) 申请公布日期 2017.04.05
申请号 EP20150845023 申请日期 2015.09.25
申请人 Kilopass Technology, Inc. 发明人 LUAN, Harry;BATEMAN, Bruce;AXELRAD, Valery;CHENG, Charlie
分类号 G11C11/00;H01L21/76;H01L27/00 主分类号 G11C11/00
代理机构 代理人
主权项
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