| 发明名称 | 一种Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub> 热电材料的快速制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>热电材料的快速制备方法，其包括如下步骤：1)将Cu、Sn和Se粉末混合均匀并压制成反应物坯体，然后置于燃烧容器中；2)将步骤1)所述燃烧容器置于反应设备中，并使燃烧容器高速旋转；3)转速在1500‑3000转/分时，点燃反应物。本发明的方法能够快速制备气孔率≤1％的致密Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>块体材料，纯度高，不含有除Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>之外的杂质。本发明通过燃烧反应加旋转，直接一步就得到致密块体，不需要后续烧结。 | ||
| 申请公布号 | CN104894422B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510342233.4 | 申请日期 | 2015.06.18 |
| 申请人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明人 | 刘光华;陈克新;李江涛 |
| 分类号 | C22C1/05(2006.01)I | 主分类号 | C22C1/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人 | 张文祎 |
| 主权项 | 一种Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>热电材料的快速制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将Cu、Sn和Se粉末混合均匀并压制成反应物坯体，然后置于燃烧容器中；2)将步骤1)所述燃烧容器置于反应设备中，并使燃烧容器高速旋转；3)转速在1500‑3000转/分时，点燃反应物。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村东路29号 | ||