| 发明名称 | 半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底由衬底、牺牲氧化层以及氮化层依次层叠形成，所述半导体基底上具有浅沟槽隔离结构；对所述半导体基底进行氧化处理，以增加所述浅沟槽隔离结构边缘的所述牺牲氧化层的体积。本发明的半导体器件的制备方法中，对所述半导体基底进行氧化处理可以增加所述浅沟槽隔离结构边缘的所述牺牲氧化层的体积，能够提高半导体衬底的角落部位的尖角圆滑度，从而提高所述浅沟槽隔离器件的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104347470B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201310323524.X | 申请日期 | 2013.07.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 柳会雄;刘良;高学;周志美 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底由衬底、牺牲氧化层以及氮化层依次层叠形成，所述半导体基底上具有浅沟槽隔离结构；对所述半导体基底进行氧化处理，氧化性气体沿着所述氮化层与所述浅沟槽隔离结构的界面进入到所述牺牲氧化层的表面，以增加所述浅沟槽隔离结构边缘的所述牺牲氧化层的体积。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||