| 发明名称 | 芯片的划片及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种芯片的划片及制造方法。该划片方法包括以下步骤：利用等离子蚀刻技术对芯片进行蚀刻，以形成深槽；在深槽的侧壁形成氧化层保护膜；采用填充材料将深槽的表面完全覆盖；对芯片进行接触孔蚀刻工艺以及金属化工艺；利用光刻技术和/或等离子蚀刻技术将氧化层保护膜及深槽表面的填充材料蚀刻开。本发明的芯片的划片及制造方法，能够有效利用硅片的面积，减小划片槽的面积，降低划片的成本，还能够防止出现崩边问题，提高了芯片的强度，并且同传统的芯片制造工艺有着良好的兼容性。 | ||
| 申请公布号 | CN106558539A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510622042.3 | 申请日期 | 2015.09.25 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 张栋 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人 | 薛琦;王聪 |
| 主权项 | 一种芯片的划片方法，其特征在于，包括以下步骤：S<sub>1</sub>、利用等离子蚀刻技术对芯片进行蚀刻，以形成深槽；S<sub>2</sub>、在深槽的侧壁形成氧化层保护膜；S<sub>3</sub>、采用填充材料将深槽的表面完全覆盖；S<sub>4</sub>、对芯片实施接触孔蚀刻工艺以及金属化工艺；S<sub>5</sub>、利用光刻技术和/或等离子蚀刻技术将氧化层保护膜及深槽表面的填充材料蚀刻开。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||