| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有相邻的第一区域和第二区域，所述基底表面具有横跨第一区域和第二区域的栅极结构，所述栅极结构的顶部表面覆盖有保护层；形成覆盖第一区域和第二区域的第一阻挡层；去除第二区域保护层表面及基底表面的第一阻挡层，在第二区域的栅极结构侧壁形成第二侧墙；形成所述第二侧墙后，形成覆盖第一区域和第二区域的第二阻挡层；向所述第一阻挡层和第二阻挡层中注入离子；去除第一区域保护层表面及基底表面的离子注入后的第一阻挡层和第二阻挡层，在第一区域的栅极结构侧壁形成第一侧墙。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106558494A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510631673.1 | 申请日期 | 2015.09.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有相邻的第一区域和第二区域，所述基底表面具有横跨第一区域和第二区域的栅极结构，所述栅极结构的顶部表面覆盖有保护层；形成覆盖第一区域和第二区域的第一阻挡层；去除第二区域保护层表面及基底表面的第一阻挡层，在第二区域的栅极结构侧壁形成第二侧墙；形成所述第二侧墙后，形成覆盖第一区域和第二区域的第二阻挡层；向所述第一阻挡层和第二阻挡层中注入离子；去除第一区域保护层表面及基底表面的离子注入后的第一阻挡层和第二阻挡层，在第一区域的栅极结构侧壁形成第一侧墙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||