| 发明名称 | 一种鳍及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种鳍的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成初始图案层，该初始图案层为半导体材料，并进行氧化工艺，以在初始图案层的侧壁上形成初始氧化层，形成有初始氧化层的初始图案层为第一结构；形成第n+1结构，包括：在第n结构的侧壁上形成第n侧墙，第n侧墙为半导体材料，并进行氧化工艺，在第n侧墙的侧壁上形成第n氧化层，形成有第n氧化层的第n侧墙为第n+1结构，n从1至N，N≥1且为正整数；去除初始图案层，以及初始氧化层和第一氧化层至第n氧化层；将第一侧墙至第n侧墙的图案转移到衬底中，以形成鳍。该方法形成高密度的鳍的掩膜，进而提高鳍的集成度，同时，获得的鳍具有更好的形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN106558492A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510624492.6 | 申请日期 | 2015.09.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵治国;殷华湘;朱慧珑;赵超 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种鳍的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成初始图案层，该初始图案层为半导体材料，并进行氧化工艺，以在初始图案层的侧壁上形成初始氧化层，形成有初始氧化层的初始图案层为第一结构；形成第n+1结构，包括：在第n结构的侧壁上形成第n侧墙，第n侧墙为半导体材料，并进行氧化工艺，在第n侧墙的侧壁上形成第n氧化层，形成有第n氧化层的第n侧墙为第n+1结构，n从1至N，N≥1且为正整数；去除初始图案层，以及初始氧化层和第一氧化层至第n氧化层；将第一侧墙至第n侧墙的图案转移到衬底中，以形成鳍。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||