| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制作方法，其中方法包括：提供其上形成有至少一个鳍状结构的衬底，其中，鳍状结构包括半导体层；在鳍状结构的表面上通过湿法成形工艺形成扩散湿层，该扩散湿层包含要扩散到半导体层的杂质；去除扩散湿层的一部分以露出鳍状结构的半导体层的上部；以及在去除扩散湿层之后，对鳍状结构进行热处理，以使扩散湿层中的杂质扩散到半导体层中。如此，在鳍状结构的半导体层的下部形成有效的防源漏穿通的掺杂区，从而消除了源漏穿通问题。另外，由于避免了现有技术中的用于防止源漏穿通的相对高能的离子注入，可避免离子注入造成的鳍状结构表面损伤，以及由于鳍状结构损伤引起载流子的迁移率降低、杂质失活的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN106558490A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510618058.7 | 申请日期 | 2015.09.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 李勇 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 孙宝海 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供其上形成有至少一个鳍状结构的衬底，其中，所述鳍状结构包括半导体层；在所述鳍状结构的表面上通过湿法成形工艺形成扩散湿层，所述扩散湿层包含要扩散到所述半导体层的杂质；去除所述扩散湿层的一部分以露出所述鳍状结构的半导体层的上部；以及在所述去除之后，对所述鳍状结构进行热处理，以使所述扩散湿层中的杂质扩散到所述半导体层中。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||