| 发明名称 | 化学机械抛光后清洁及设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化学机械抛光后清洁及设备，其包含使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁。所述第一刷子旋转以清洁所述晶片。本发明的方法进一步包含使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁。所述第二刷子旋转以清洁所述晶片。所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。 | ||
| 申请公布号 | CN106558484A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510837506.2 | 申请日期 | 2015.11.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄富明;陈亮光;张庭魁;林均洁 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种方法，其包括：使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁，其中所述第一刷子旋转以清洁所述晶片；及使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁，其中所述第二刷子旋转以清洁所述晶片，且所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号 | ||