| 发明名称 | 形成半导体器件结构的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种形成半导体器件结构的方法，半导体器件结构包括在衬底上方形成膜。半导体器件结构包括在膜上方形成第一掩模层。半导体器件结构包括在第一掩模层上方形成第二掩模层。第二掩模层暴露出第一掩模层的第一部分。半导体器件结构包括实施等离子体蚀刻和沉积工艺以去除第一掩模层的第一部分和以在第二掩模层的第一侧壁的上方形成保护层。在等离子体蚀刻和沉积工艺之后，第一掩模层暴露出膜的第二部分。半导体器件结构包括将第一掩模层和第二掩模层用作蚀刻掩模去除第二部分。本发明实施例涉及形成半导体器件结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106558478A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201610707664.0 | 申请日期 | 2016.08.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖耕颍;曾重宾;陈柏仁;陈益弘;陈怡杰 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成膜；在所述膜上方形成第一掩模层；在所述第一掩模层上方形成第二掩模层，其中，所述第二掩模层暴露出所述第一掩模层的第一部分；实施等离子体蚀刻和沉积工艺以去除所述第一掩模层的第一部分和以在所述第二掩模层的第一侧壁上方形成保护层，其中，在所述等离子体蚀刻和沉积工艺之后，所述第一掩模层暴露出所述膜的第二部分；以及将所述第一掩模层和所述第二掩模层用作蚀刻掩模去除所述第二部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||