发明名称 |
半导体器件及半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种提高SRAM的可靠性的半导体器件及半导体器件的制造方法。在SRAM的存储单元中,考虑到动态稳定性,在存储器节点间设置耦合电容。 |
申请公布号 |
CN106558585A |
申请公布日期 |
2017.04.05 |
申请号 |
CN201610862656.3 |
申请日期 |
2016.09.28 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
高冈洋道 |
分类号 |
H01L27/11(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/11(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
陈伟;闫剑平 |
主权项 |
一种半导体器件,其特征在于,具有:第一SRAM单元,其在与第一位线连接的第一节点和与第二位线连接的第二节点之间设置有第一电容元件;以及第二SRAM单元,其在与所述第一位线连接的第三节点和与所述第二位线连接的第四节点之间设置有第二电容元件,所述第一电容元件配置在比所述第一位线和所述第二位线的中间更靠所述第一位线一侧,所述第二电容元件配置在比所述第一位线和所述第二位线的中间更靠所述第二位线一侧。 |
地址 |
日本东京都 |