阵列基板、显示面板、显示装置及制备方法

摘要

一种阵列基板，其包括基板、设置于基板上的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一通道层，所述第二薄膜晶体管包括第二通道层；所述阵列基板还包括第三绝缘层，所述第一通道层形成在所述基板上，所述第一通道层的材质为掺杂的多晶硅层，所述第二通道层的材质为金属氧化物半导体；在对应该第二通道层两侧的位置分别开设有一第二漏极孔和一第二源极孔贯穿所述第三绝缘层，所述第二漏极孔与第二源极孔之间的第三绝缘层定义一保护区域以保护所述第二通道层。本发明还提供应用该阵列基板的显示面板、显示装置及该阵列基板的制备方法。保护区域覆盖所述第二通道层能够有效保护第二通道层。

主权项

一种阵列基板，其包括基板、设置于基板上的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，所述阵列基板定义有一显示区以及环绕所述显示区的周边区，周边区内设置有驱动电路，所述第一薄膜晶体管设置在周边区，所述第二薄膜晶体管设置在显示区；所述第一薄膜晶体管包括第一通道层、第一栅极、第一源极与第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二通道层、第二栅极、第二源极、第二漏极与存储电容层；所述阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层、以及第三绝缘层，所述第一通道层以及所述存储电容层形成在所述基板上，所述第一绝缘层形成在所述基板上并覆盖所述第一通道层与存储电容层，所述第一栅极和所述第二栅极形成在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上并覆盖所述第一栅极与第二栅极，所述第二通道层形成在所述第二绝缘层上，其特征在于：所述第一通道层和存储电容层的材质均为掺杂的多晶硅层，所述第二通道层的材质为金属氧化物半导体；所述第三绝缘层形成在所述第二绝缘层上并覆盖所述第二通道层，在对应该第二通道层两侧的位置分别开设有一第二漏极孔和一第二源极孔贯穿所述第三绝缘层。