| 发明名称 | 侦测金属离子沾污的方法 | ||
| 摘要 | 一种侦测金属离子沾污的方法，包括：提供待测的沉积腔室和晶圆；利用所述待测的沉积腔室在晶圆表面形成检测层；在所述检测层表面形成籽晶层；形成位于所述籽晶层表面的半导体层；观察形成半导体层后的晶圆的晶向组织，当所述晶向组织中存在尖角状或圆棍状时，则待测的沉积腔室受到金属离子沾污。对金属离子进行侦测得到的结果更为快速准确，后续形成的半导体器件的性能优越。 | ||
| 申请公布号 | CN106558508A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510616402.9 | 申请日期 | 2015.09.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 方文斌;沈建飞 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏 |
| 主权项 | 一种侦测金属离子沾污的方法，其特征在于，包括：提供待测的沉积腔室和晶圆；利用所述待测的沉积腔室在晶圆表面形成检测层；在所述检测层表面形成籽晶层；形成位于所述籽晶层表面的半导体层；观察形成半导体层后的晶圆的晶向组织，当所述晶向组织中存在尖角状或圆棍状时，则待测的沉积腔室受到金属离子沾污。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||