发明名称 鳍式场效应管的形成方法
摘要 一种鳍式场效应管的形成方法,包括:提供包括第一区域和第二区域的衬底;在衬底表面形成金刚石膜;在第一区域金刚石膜内形成第一通孔,在第二区域金刚石膜内形成第二通孔;在第二通孔底部表面形成第一绝缘层;形成位于第一通孔底部表面的第一外延层以及位于第一外延层顶部表面的第一本征层,第一外延层内含有第一防穿通离子;在第一本征层顶部表面形成第二绝缘层;去除第一绝缘层;形成位于第二通孔底部表面的第二外延层以及位于第二外延层顶部表面的第二本征层,第二外延层内含有第二防穿通离子;去除第二绝缘层;回刻蚀去除部分厚度的金刚石膜形成金刚石层,暴露出第一本征层侧壁和第二本征层侧壁。本发明改善了鳍式场效应管的电学性能。
申请公布号 CN106558493A 申请公布日期 2017.04.05
申请号 CN201510631671.2 申请日期 2015.09.29
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 李勇
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 高静;吴敏
主权项 一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括第一区域和第二区域;在所述衬底表面形成金刚石膜;刻蚀所述金刚石膜,在所述第一区域金刚石膜内形成第一通孔,在所述第二区域金刚石膜内形成第二通孔;在所述第二通孔底部表面形成第一绝缘层;在形成所述第一绝缘层之后,采用外延工艺,形成位于所述第一通孔底部表面的第一外延层以及位于第一外延层顶部表面的第一本征层,其中,所述第一外延层内含有第一防穿通离子,所述第一本征层填充满所述第一通孔;在所述第一本征层顶部表面形成第二绝缘层;去除所述第一绝缘层;在形成所述第二绝缘层之后,采用外延工艺,形成位于所述第二通孔底部表面的第二外延层以及位于第二外延层顶部表面的第二本征层,其中,所述第二外延层内含有第二防穿通离子,所述第二本征层填充满所述第二通孔;去除所述第二绝缘层;回刻蚀去除部分厚度的金刚石膜形成金刚石层,所述金刚石层暴露出第一本征层侧壁表面和第二本征层侧壁表面。
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