半导体装置及其形成方法

摘要

本发明公开一种半导体装置及其形成方法。在各种实施例中，半导体装置形成方法包括：接收包括通道的半导体基板。气氛调节层形成于通道之上。执行退火工艺以形成位于通道与气氛调节层之间的介面层。本发明内容所应用的气氛调节层，能改良介面层的均匀性及应变松驰。此外，本发明内容提供用于栅极介电层/介面层及介面层/半导体基板介面的一个步骤的钝化工艺，能减少成本。本发明内容提供的方法，能保持工艺期间的低热预算及更小的应变松驰，并适用于诸如含锗及基于第III族-第V族的材料的高电子迁移性通道。

主权项

一种用于形成半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：接收包含一通道的一半导体基板；在该通道之上形成一气氛调节层；以及执行一退火工艺以形成位于该通道与该气氛调节层之间的一介面层。