| 发明名称 | 去除半导体基片掩膜层的方法 | ||
| 摘要 | 一种去除半导体基片掩膜层的方法，首先对基片正面进行减薄工艺，去除部分的第一掩膜层；然后再对基片进行湿法腐蚀工艺，以去除余下的第一掩膜层以及去除部分的第二掩膜层，靠近基片背面的LTO结构处于第二掩膜层的保护下，并不会受到湿法腐蚀工艺的损坏，从而很好地保护了LTO结构，避免了晶片的损坏，降低了晶片报废的风险。 | ||
| 申请公布号 | CN106558486A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510644262.6 | 申请日期 | 2015.09.30 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 平梁良;但唐龙 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种去除半导体基片掩膜层的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基片；所述半导体基片包括主体结构、正面和背面，所述正面设置有第一掩膜层，所述背面设置有第二掩膜层；对所述正面进行减薄工艺并保留部分第一掩膜层；对所述半导体基片进行湿法腐蚀工艺，以去除余下的第一掩膜层以及去除部分的第二掩膜层。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||