基于纳米材料的传感器的形成方法

摘要

基于纳米材料的传感器的形成方法，包括：半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，半导体衬底的第一表面具有第一介质层，第二表面具有第二介质层；在所述第一介质层表面形成若干MoS₂纳米结构，若干MoS₂纳米结构呈线性排列；在第一介质层表面形成若干传输线，所述传输线具有间隔，所述间隔适于容纳所述MoS₂纳米结构；在半导体衬底的第二介质层表面形成接地层，所述接地层形成有互补开口谐振环，互补开口谐振环的位置与所述MoS₂纳米结构的位置对应，互补开口谐振环的超材料可在λ/8至λ/12谐振。本发明实施例的形成的传感器无需电源驱动和连线传输信号或检测数据，且灵敏度高、检测精度高、兼容性好。

主权项

一种基于纳米材料的传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底的第一表面具有第一介质层，第二表面具有第二介质层；在所述第一介质层表面形成若干MoS₂纳米结构，若干MoS₂纳米结构呈线性排列；在所述第一介质层表面形成若干传输线，所述传输线具有间隔，所述间隔适于容纳所述MoS₂纳米结构；在所述半导体衬底的第二介质层表面形成接地层，所述接地层形成有互补开口谐振环，所述互补开口谐振环的位置与所述MoS₂纳米结构的位置对应，其中所述互补开口谐振环的超材料在λ/8至λ/12谐振，λ是传感器工作频率对应的波长。