| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体结构包括衬底、应变诱导层和外延结构。应变诱导层设置于衬底上和外延结构嵌入在应变诱导层中并且不与衬底接触。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106558617A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201610707132.7 | 申请日期 | 2016.08.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 宋学昌;张智强;李昆穆 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：衬底；应变诱导层，设置于所述衬底上；和外延结构，嵌入在所述应变诱导层中并且不与所述衬底接触。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||