发明名称 一种去除低氘洗靶水中内毒素及杂质离子的方法
摘要 本发明涉及一种去除低氘洗靶水中内毒素及杂质离子的方法。先利用两级蒸馏除去低氘洗靶水粗原料中的部分内毒素及杂质离子,再经过超滤膜过滤去除低氘洗靶水中的剩余的内毒素。与现有技术相比,本发明在保证低氘洗靶水中氘元素(D)丰度不升高、最终产品不引入其他杂质离子的前提下,先利用两级蒸馏除去低氘洗靶水中的部分内毒素及杂质离子,再经过超滤膜过滤,去除低氘洗靶水中的剩余的绝大部分内毒素,实现低氘洗靶水中内毒素含量及杂质离子含量的达标。本发明工艺简便,保证了产品质量,并对低氘洗靶水损耗较少。
申请公布号 CN105130083B 申请公布日期 2017.04.05
申请号 CN201510615563.6 申请日期 2015.09.24
申请人 上海化工研究院;上海联泓同位素科技有限公司 发明人 谷宏森;周建跃;肖斌;秦川江;刘严;李猷;林轶凡;池毅;蒋琮琪;王杰
分类号 C02F9/10(2006.01)I 主分类号 C02F9/10(2006.01)I
代理机构 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人 赵志远
主权项 一种去除低氘洗靶水中内毒素及杂质离子的方法,其特征在于,先利用两级蒸馏除去低氘洗靶水粗原料中的部分内毒素及杂质离子,再经过超滤膜过滤去除低氘洗靶水中的剩余的内毒素;该方法包括以下步骤:(1)第一次蒸馏:将低氘洗靶水原料中加入碱性氢氧化物、碱性氧化物或者高活性碱金属,配制成强碱溶液,放入蒸馏装置中蒸馏,得到一次蒸馏液,(2)第二次蒸馏:将一次蒸馏液放入蒸馏装置中,并加入五氧化二磷配制成磷酸溶液,进行蒸馏,得到二次蒸馏液;(3)超滤膜过滤:采用超滤膜对二次蒸馏液进行过滤,滤过端得到氘丰度不升高、内毒素含量达标、电导率合格的合格产品。
地址 200062 上海市普陀区云岭东路345号