一种半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上依次形成栅极介电层、多晶硅层和第一硬掩膜层；图案化栅极区域的所述第一硬掩膜层，并暴露栅极区域的所述多晶硅层；对所述栅极区域的多晶硅层执行一次或多次功函数调整离子注入；在所述栅极区域的多晶硅层上形成第二硬掩膜层；依次去除所述第一硬掩膜、栅极区域以外的所述多晶硅层和所述第二硬掩膜层，形成具有横向可变的功函数的栅极；执行形成源极和漏极的步骤。解决了现有技术中沟道区上的栅电极的不充分电控电平的问题，并可以有效提高半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，包括步骤：a)提供半导体衬底；b)在所述衬底上依次形成栅极介电层、多晶硅层和第一硬掩膜层；c)图案化栅极区域的所述第一硬掩膜层，并暴露栅极区域的所述多晶硅层；d)在所述栅极区域的多晶硅层上和所述第一硬掩膜层的内侧侧壁的一侧或两侧上形成间隙壁，并以所述第一硬掩膜层和所述间隙壁为掩膜执行功函数调整离子注入；e)在所述栅极区域的多晶硅层上形成第二硬掩膜层；f)依次去除所述第一硬掩膜层、栅极区域以外的所述多晶硅层和所述第二硬掩膜层和所述间隙壁，形成具有横向可变的功函数的栅极；g)执行形成源极和漏极的步骤。